在一次性载体上使用晶圆加工胶，使晶圆加工量成倍增长。
标准晶圆加工采用CTE(热膨胀系数)匹配载体(如空白晶圆或玻璃)作为支撑结构，通过真空吸盘压下，进行不同的加工步骤，温度可高达250-350ºC。匹配的CTE约为7ppm /ºC，最大限度地减少由于临时粘结粘合剂的CTE通常与60ppm /ºC及以上有很大不同而考虑界面应力的需要。
临时粘接胶在硅片加工过程中从回磨到三维加工成功的关键是在高剪切回磨过程中具有不受水影响的高剪切粘结强度。在高真空条件下，在200ºC至350ºC的温度下，对光刻、电镀过程的粘合和保持强度进行了延长。
AIT科技开发了一种临时粘合粘合剂，它非常柔韧，但在回磨和晶圆加工过程中具有很强的剪切粘合强度。虽然这些新颖的临时粘合粘合剂可以与单独章节中描述的使用玻璃或晶片载体的传统晶片加工一起使用，但随着处置载体的使用，每小时晶片吞吐量可以成倍增加。
在预先将临时粘合粘合剂应用到薄的一次性载体上后，在器件晶圆的活跃面上的熔化层压得到简化。除了传统的真空辅助加热平板压片的临时粘接设备外，AIT还开发了一种使用精密预热压延辊压片设备的直接压片工艺，以提高生产效率。
使用正在申请专利的处置载体方法的最大优势是设备晶圆与载体的脱键和分离。下面是解键过程的不同说明:
以上信息图的脱粘过程与传统的临时粘结粘合剂和玻璃载体，以AIT科技专利申请清洁剥离一次性载体。GD-PRCL-350临时粘接胶被设计成具有很强的剪切粘接强度，在粘接到一次性载体时，仍然可以从器件晶圆上剥离干净。由于临时粘结胶分子的设计具有易于整合和拉伸的能力，载体可能有或可能没有与器件晶圆匹配的CTE，但仍然不会产生导致成品晶圆翘曲的界面应力。
成功的关键是具有高剪切粘接和高温稳定性的分子工程高一致性和可拉伸柔性临时粘接胶。
•预先应用在一次性载体上，消除了沉积和形成紧密的总厚度变化小于5µm的几个加工步骤。
•无需使用热滑动和聚焦激光烧蚀(相对设备和时间密集)，临时粘合粘合剂从设备晶片剥离的能力。
•此外，分子结构有能力剥离剥离干净，没有残留在设备上，增加了数倍的硅片吞吐量每小时。
•这一次性载体与粘合剂层是成本效益足够抛。
有了这种清洁的剥离粘合剂，在完成后研磨和晶圆加工后，带粘合剂的一次性载体可以简单地从设备晶圆剥离清洁。
这种晶圆加工的额外简化使得每小时的晶圆吞吐量增加。
下表详细说明了三种形式的AIT专利暂粘粘合剂的一次性载体解决方案的性能。
1.GD-PRCL-350-WS使用的一次性载体与器件晶圆(如硅)的载体非常匹配。
2.GD-UVR-350-SS使用的一次性载体与设备晶圆的载体不太匹配。
3.GD-UVR-350-FG采用了专有的高温载体，半透明到透明。
