用于SiC、蓝宝石、GaN和GaAs晶圆的背磨蜡粘合剂解决方案。
典型的硅片背磨带剥离粘接强度为200至1000克/英寸。这对于相对柔软、容易变薄的硅片来说是足够的。然而:
•硬材料和脆性材料较难磨削。
•SiC(碳化硅)、蓝宝石、GaN、GaAs等III-V型半导体
•传统的硅片背磨带剪切粘结强度不足
•需要强剪切粘结蜡粘合剂
•研磨非常硬的材料会产生热量
•可提高温度高达60º℃
•必须保持剪切粘结强度
薄膜格式蜡胶
•> 1000 psi剪切粘结强度(见下图)
•磨削极硬材料，如SiC
•强度，保护易碎晶圆片不断裂
•像GaN和GaAs这样的材料在任何应力集中时都可能断裂
•保持力量在60ºC
•不同厚度可供
•薄3um
•厚400um
•电影格式=一致性控制
•删除技能相关的旋转涂布方法
•甚至训练有素运营商仍然发现很难控制在旋转涂布蜡厚度的均匀性
•无旋涂和无干燥时间↔工艺简化和吞吐量大
正在申请专利的解决方案与AIT熔合临时粘接蜡一次性载体上的分子设计的灵活性。对于SiC、蓝宝石或GaAs晶片，无论载流子是否具有匹配CTE的3- 7ppm /ºC，都不会产生界面应力。蜡胶膜厚度可达3µm以上。
为什么需要一种新的背磨胶溶液?
BGF蜡胶粘剂薄膜:
创新了河中的小岛。应用证明
BGF新型蜡膜胶粘剂，由AIT首创，也可预先应用于一次性载体。(超链接)。该粘合剂提供高剪切粘接，而一次性载体格式成倍的晶圆吞吐量。一次性载体上的BGF TTV小于等于2um。
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